Иностранный персонал из Индии, Шри-Ланки, Бангладеш, Вьетнама и других стран
получить коммерческое предложение
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ
МИГРАЦИОННЫЙ ЦЕНТР |
+7 495 744-06-64 |
Подбираем и предоставляем персонал на условиях лизинга (аренды), персонал из граждан России, СНГ и дальнего зарубежья на вакансию Оператор плазмохимических процессов. Мы поможем своим персоналам обстроиться по обращенным Профессиям.
Характеристика работ. Ведение процесса травления полупроводниковых материалов, снятия фоторезиста, высаживания двуокиси кремния на различных типах плазмохимического оборудования. Ионно-плазменное нанесение пленок Fe2O3. Загрузка и выгрузка пластин кремния, стеклопластик, жидкокристаллических индикаторов. Определение неисправностей в работе установок и принятие мер по их устранению. Корректировка режимов плазмохимической обработки по контрольным измерениям. Регистрация и поддержание режимов плазмохимической обработки с помощью контрольно-измерительной аппаратуры. Контроль толщины нанесенной пленки, замер линейных размеров элементов микросхем с помощью микроскопа. Определение качества обработки пластин с помощью микроскопа и измерительных приборов.
Должен знать: устройство плазмохимических установок различных моделей, принцип их действия; кинематику, электрические и вакуумные схемы; правила настройки на точность обслуживаемого оборудования, устройство, назначение и применение контрольно-измерительных приборов и инструментов; назначение процесса откачки и роль плазмообразующих сред в процессе обработки пластин; способы и методы контроля степени вакуума; основные свойства и характеристики плазмообразующих сред; основы процесса плазмохимического травления; оценку стойкости фоторезистивных масок к воздействию газоразрядной плазмы; основные законы электротехники и вакуумной техники.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое высаживание SiO2 путем разложения и взаимодействия моносилана с кислородом в плазме высокочастотного разряда, определение толщины пленки SiO2 после нанесения по таблицам цветности.
2. Мезо-структуры с фоторезистом - ионно-плазменное напыление диэлектрических пленок.
3. Пластины - удаление фоторезиста на плазмохимических установках.
4. Пластины кремния - плазмохимическое травление двуокиси кремния, лежащего на алюминии.
5. Стеклопластины - ионно-плазменное нанесение Fe2O3.
Индикаторы жидкокристаллические - удаление полиамида на плазмохимических установках.
Характеристика работ. Ведение процесса плазмохимической очистки пластин и материалов, нанесение двуокисных пленок на различных типах плазмохимического оборудования. Нанесение антиэмиссионных и эмиссионных покрытий ионно-плазменным или плазмо-дуговым методом. Напыление молибдена, алюминия ионно-плазменным методом. Подготовка и настройка оборудования на заданный режим работы. Согласование нагрузок генератора высокой частоты. Выявление причин неисправностей в вакуумных системах. Выявление причин отклонения скорости плазмохимической обработки от заданной и их устранение. Корректировка режимов проведения процесса по результатам контрольных измерений. Контроль толщины микрослоев после обработки на микроинтерферометрах различных типов.
Должен знать: системы подачи и натекания газов; основные процессы, происходящие при диссоциации в плазме молекул химически активных рабочих газов; основы плазмохимического осаждения; свойства пленок, подвергающихся плазмохимической обработке; физические и химические основы технологических процессов в плазме; методы определения глубины травления; методы определения толщины окислов; устройство и настройку интерферометров.
Примеры работ
1. Пластины кремниевые - ионно-плазменное напыление молибдена, алюминия с добавками меди и кремния; травление, высаживание пленки SiO2 плазмохимическим методом, замер величины заряда, пробивного напряжения на ПНХТ, контроль толщины пленки на интерферометре, контроль качества поверхности на микроскопе.
2. Пластины ситалловые - плазмохимическое осаждение пленки нитрида бора.
3. Пленки нитрида бора - плазмохимическое травление.
4. Фотошаблоны и пластины кремния - ионно-плазменное и плазмохимическое травление.
Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической очистки, травления полупроводниковых материалов, металлов, металлических систем с использованием реагентов различных видов с заданной избирательностью травления. Определение скорости плазмохимического травления материалов. Самостоятельный подбор режимов очистки, травления, различных видов пленок в процессе фотолитографии в различных плазмообразующих средах. Отработка режимов плазмохимической обработки пластин с заданной точностью и соотношением скоростей травления. Оценка влияния плазменных обработок на параметры полупроводниковых приборов.
Должен знать: конструкцию вакуумных и газовых систем; устройство и принцип работы ионных источников, плазмотронов и реакционно-разрядных камер, методы их настройки и регулировки; теорию плазмохимических процессов осаждения пленок, по обработке и травлению поверхности полупроводниковых пластин и материалов; влияние качества обработки поверхности на характеристики полупроводниковых приборов; правила определения режима работы плазмохимического оборудования различных типов для получения заданных параметров пленок; основы теории плазмохимической обработки.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
Кремниевые пластины - плазмохимическое травление Si3N4, Al2O3, ванадия.
Характеристика работ. Проведение процессов плазмохимической очистки и травления полупроводниковых материалов на экспериментальном и опытном оборудовании. Проведение многостадийных процессов травления. Плазмохимическое травление многослойных структур. Анизатропное травление поликремния. Сборка и разборка внутрикамерного устройства и его чистка. Отыскание течей вакуумных систем и принятие мер к их устранению.
Должен знать: конструкцию экспериментального и опытного оборудования для проведения плазмохимических процессов; правила ведения плазмохимического травления многослойных структур и ведения многостадийных процессов; методы отыскания течей в вакуумных системах и способы их устранения и предупреждения.
Требуется среднее профессиональное образование.
Примеры работ
1. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление AL/SL; ASI/TIW.
2. Кремниевые пластины - плазмохимическое травление ФСС, БФСС, SiO2 селективно к SI, ПКК при формировании контактов.
Подбираем и предоставляем персонал на условиях лизинга (аренды), персонал из граждан России, СНГ и дальнего зарубежья на вакансию Оператор плазмохимических процессов 4-го разряда. Наш персонал обладает всеми ...
Ознакомьтесь с нашим комплектом документов! Для ознакомления вы можете скачать нужные вам файлы, и если планируете сотрудничать с нами внести ваши предложения и правки и отправить нам на наш адрес электронной почты!
Акредитация ММЦ-ПЕРСОНАЛ
Коммерческое предложение от ММЦ-ПЕРСОНАЛ
Договор на аутсорсинг от ММЦ-ПЕРСОНАЛ
Приложения №1-2-3 к договору на аутсорсинг от ММЦ-ПЕРСОНАЛ
Приложение №4 к договору на аутсорсинг от ММЦ-ПЕРСОНАЛ
Подбираем и предоставляем персонал на условиях лизинга (аренды), персонал из граждан России, СНГ и дальнего зарубежья на вакансию Оператор плазмохимических процессов 6-го разряда. Наш персонал обладает всеми необходимыми профессиональными знаниями ....
Иностранный персонал из Индии, Шри-Ланки, Бангладеш, Вьетнама и других странполучить коммерческое предложение |